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Il s’agit d’un transistor de puissance bipolaire à grille isolée (Insulated Gate Bipolar Transistor) ayant comme avantage la possibilité d’une commande en tension, à l’instar des Mos-FET, tout en fournissant une sortie en courant. Cela permet la réalisation de dispositifs à forte capacité de transfert en puissance (amplificateur, commande moteur ou alimentation) sans la nécessité d’un étage driver avec sortie en courant, compliqué à mettre en œuvre surtout si les fréquences de travail sont élevées.
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